近年(nián)來，在(zài)半(bàn)導體(tǐ)工(gōng)業(yè)中，對臭氧的應(yīng)用越來越(yuè)多。臭氧被(bèi)廣泛運(yùn)用(yòng)在(zài)晶圓(yuán)清(qīng)洗(xǐ)和(hé)電子元件清(qīng)洗(xǐ)中(zhōng)。德國(guó)ANSEROS安索羅(luó)斯(sī)臭(chòu)氧發(fā)生(shēng)器MEGAGEN係(xì)列(liè)COM-VD在半導體加工(gōng)等方麵(miàn)發揮重大作用(yòng)。

臭(chòu)氧(yǎng)發(fā)生器(qì)COM-VD係列產品優勢(shì)：

ANSEROS安(ān)索羅(luó)斯臭氧(yǎng)發(fā)生(shēng)器COM-VD係列(liè)是專(zhuān)門為(wéi)獲得高(gāo)濃(nóng)度(dù)臭(chòu)氧而設(shè)計的。在低氧(yǎng)氣(qì)消(xiāo)耗(hào)量的(dí)氣相(xiāng)中(zhōng)，臭氧最高(gāo)濃(nóng)度(dù)可(kě)達到(dào) 300g O₃/Nm³。

MEGAGEN係(xì)列臭氧發生(shēng)器COM-VD能與ANSEROS安索羅斯(sī)AOPR反(fǎn)應器(qì)配合使(shǐ)用，其(qí)質(zhì)量(liáng)轉移效(xiào)果非(fēi)常好，可(kě)以將大(dà)量的(dí)臭氧(yǎng)轉換成(chéng)液(yè)相(xiāng)，從而(ér)達(dá)到(dào)強力去(qù)除(chú)COD的(dí)目(mù)的(dí)。

臭(chòu)氧(yǎng)發生(shēng)器(qì)MEGAGEN COM-VD係列(liè)數據(jù)表

臭氧(yǎng)發(fā)生器COM-VD係列(liè)產品特點：

最高臭氧濃度

低耗(hào)氧量

低功(gōng)耗(hào)

相關反應(yīng)性(xìng)高

低(dī)AOPR(高(gāo)級(jí)氧(yǎng)化工藝)能(néng)耗

臭(chòu)氧(yǎng)發生器COM-VD係(xì)列產(chǎn)品應用：

+ AOP(高級(jí)氧(yǎng)化技(jì)術)汙水處(chǔ)理，去除(chú)COD

+ HOXON®廢(fèi)水係(xì)統(tǒng), API廢(fèi)水

+ 半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)加工(gōng)（如晶(jīng)圓(yuán)清(qīng)洗，電子元件(jiàn)臭(chòu)氧(yǎng)清洗）

+ 除臭

+ 研發

+ 藥品生產

臭氧(yǎng)發(fā)生(shēng)器在(zài)半導(dǎo)體晶圓清洗(xǐ)上(shàng)的(dí)應用

晶(jīng)圓清洗是(shì)目(mù)前半導體生產綫上(shàng)最重要，最嚴謹的(dí)工序之一，在(zài)很多的(dí)清洗(xǐ)工序(xù)中(zhōng)，隻(zhī)要有一(yī)道(dào)工(gōng)序(xù)達不到要(yào)求，就會導致(zhì)征(zhēng)辟(bì)的芯(xīn)片的(dí)報廢和(hé)流(liú)程不順暢(chàng)，傳統的(dí)RCA清(qīng)洗(xǐ)法需要(yào)大量(liáng)的(dí)化學試劑(jì)，帶來了(liǎo)成(chéng)本的增加以及(jí)均匀(yún)性不一(yī)致(zhì)的(dí)問題(tí)，而臭(chòu)氧是一種(zhǒng)具(jù)有較(jiào)強(qiáng)氧化(huà)性(xìng)的氣體，把(bǎ)它溶(róng)解(jiě)在超(chāo)純水中，噴灑(sǎ)在晶圓(yuán)表(biǎo)麵(miàn)，可(kě)以(yǐ)將(jiāng)表麵的有機汙染物(wù)氧化(huà)為二(èr)氧化碳和水，非(fēi)常容(róng)易就(jiù)可以(yǐ)去(qù)除(chú)表麵(miàn)有機物(wù)，同(tóng)時還會(huì)在(zài)晶(jīng)圓(yuán)表麵(miàn)形(xíng)成一層致(zhì)密的(dí)氧化(huà)膜。因此(cǐ)德(dé)國(guó)ANSEROS安索(suǒ)羅斯臭氧(yǎng)發生器(qì)非常適合運用在(zài)半導(dǎo)體特別是晶圓清洗(xǐ)上。