近(jìn)年來(lái)，在(zài)半(bàn)導(dǎo)體工(gōng)業(yè)中(zhōng)，對臭氧(yǎng)的(dí)應(yīng)用(yòng)越來(lái)越多。臭(chòu)氧(yǎng)被(bèi)廣泛運用(yòng)在晶圓清洗(xǐ)和(hé)電子(zǐ)元(yuán)件(jiàn)清洗中。德國ANSEROS安索羅斯臭氧(yǎng)發生(shēng)器MEGAGEN係列COM-VD在(zài)半導體加(jiā)工(gōng)等(děng)方(fāng)麵(miàn)發揮重大(dà)作用。

臭氧發(fā)生器COM-VD係(xì)列(liè)產品優(yōu)勢：

ANSEROS安(ān)索羅斯臭氧(yǎng)發(fā)生(shēng)器COM-VD係列是專門為獲得高濃度(dù)臭氧而(ér)設計的。在(zài)低氧氣消(xiāo)耗量(liáng)的氣相(xiāng)中，臭(chòu)氧最高(gāo)濃度可達(dá)到(dào) 300g O₃/Nm³。

MEGAGEN係(xì)列(liè)臭氧(yǎng)發生器COM-VD能(néng)與(yǔ)ANSEROS安索羅斯AOPR反應(yīng)器配合使用(yòng)，其(qí)質量轉(zhuǎn)移(yí)效(xiào)果非常好，可(kě)以(yǐ)將大(dà)量(liáng)的(dí)臭氧轉換成液相，從(cóng)而(ér)達到強力(lì)去除(chú)COD的(dí)目的。

臭氧發生器(qì)MEGAGEN COM-VD係列(liè)數據表

臭氧發生器COM-VD係(xì)列產品(pǐn)特點：

最高(gāo)臭氧濃度

低(dī)耗(hào)氧(yǎng)量(liáng)

低(dī)功(gōng)耗

相(xiāng)關反應性(xìng)高

低AOPR(高級(jí)氧化工(gōng)藝)能(néng)耗

臭氧發生器COM-VD係列(liè)產品(pǐn)應用：

+ AOP(高級(jí)氧化技(jì)術(shù))汙水(shuǐ)處(chǔ)理
，去除COD

+ HOXON®廢水(shuǐ)係統, API廢水

+ 半導(dǎo)體加(jiā)工(gōng)（如晶(jīng)圓清洗(xǐ)，電(diàn)子(zǐ)元件臭(chòu)氧清(qīng)洗）

+ 除(chú)臭

+ 研(yán)發

+ 藥(yào)品(pǐn)生(shēng)產

臭(chòu)氧發(fā)生器在(zài)半導體(tǐ)晶(jīng)圓(yuán)清(qīng)洗(xǐ)上(shàng)的應用

晶(jīng)圓清(qīng)洗是目(mù)前半導體(tǐ)生(shēng)產綫(xiàn)上(shàng)最重(zhòng)要
，最(zuì)嚴(yán)謹(jǐn)的工(gōng)序之一，在(zài)很多的清洗工序中(zhōng)，隻要(yào)有一道(dào)工(gōng)序達(dá)不到要(yào)求(qiú)，就會(huì)導致(zhì)征辟的芯片的(dí)報(bào)廢和流程(chéng)不順暢，傳(chuán)統的RCA清(qīng)洗法需(xū)要(yào)大量(liáng)的化學試(shì)劑，帶來了(liǎo)成本(běn)的增(zēng)加(jiā)以及均(jūn)匀(yún)性(xìng)不(bù)一(yī)致的問題，而臭氧是(shì)一種(zhǒng)具有較(jiào)強氧化性的氣體，把它溶解(jiě)在(zài)超(chāo)純(chún)水中(zhōng)，噴灑(sǎ)在晶(jīng)圓(yuán)表麵，可(kě)以(yǐ)將表麵的有機汙染(rǎn)物氧化為(wéi)二(èr)氧(yǎng)化碳(tàn)和(hé)水(shuǐ)，非(fēi)常(cháng)容(róng)易就(jiù)可(kě)以去(qù)除(chú)表(biǎo)麵有機物，同時(shí)還(huán)會在晶(jīng)圓(yuán)表麵形成一層致(zhì)密的(dí)氧(yǎng)化膜。因此德國(guó)ANSEROS安(ān)索羅(luó)斯臭氧發生(shēng)器非(fēi)常(cháng)適合運(yùn)用(yòng)在(zài)半(bàn)導體特別是晶(jīng)圓(yuán)清洗(xǐ)上。